光电二极管又称为光敏二极管,它是一种将光信号变成电信号的半导体器件。它的主要部分也是一个PN结,和普通二极管相比,在结构上不同的是:光电二极管的外壳上有一个透明的窗口以接收光线照射,实现光电转换。光电二极管的电路符号、结构及实物。光电二极管是在反向电压作用之下工作的。工作时加反向电压,没有光照时,其反向电阻很大,只有很微弱的反向饱和电流(暗电流)。当有光照时,就会产生很大的反向电流(亮电流),光照越强,该亮电流就越大。在电路中,隔离二极管通常被用来隔离高电压和低电压电路,以保护低电压电路不受高电压电路的影响。中山高压二极管功率

二极管VD1温度补偿电路分析根据二极管VD1在电路中的位置,对它的工作原理分析思路主要说明下列几点:(1)VD1的正极通过R1与直流工作电压+V相连,而它的负极通过R2与地线相连,这样VD1在直流工作电压+V的作用下处于导通状态。理解二极管导通的要点是:正极上电压高于负极上电压。(2)利用二极管导通后有一个0.6V管压降来解释电路中VD1的作用是行不通的,因为通过调整R1和R2的阻值大小可以达到VT1基极所需要的直流工作电压,根本没有必要通过串入二极管VD1来调整VT1基极电压大小。南京普通二极管供应商二极管的截止电压称为反向击穿电压。

二极管的起源早在20世纪40年代,人们就开始利用金属-半导体接触的单向导电性,当时将金属丝与氧化亚铜晶体接触做成点接触型二极管,将这种较简单的半导体器件用于检波。利用薄膜淀积技术可在半导体表面形成大面积的金属-半导体整流接触,做成面接触型的金属-半导体二极管,习惯上称之为肖特基势垒二极管,简称为肖特基二极管。目前,功率肖特基势垒二极管主要用铬、铂、钨、铝等金属与N型低阻硅制成 这里需要对阴极金属与重掺杂的N+层之间的接触进行说明。首先肯定是该接触为欧姆接触,与阳极的金属-半导体的整流接触不同。欧姆接触不光光看金属和半导体的功函数之差。更广义的所谓欧姆接触,是指接触电阻很小且不随外加电压的变化而改变其阻值的线性接触。
二极管开关电路及故障处理:开关电路是一种常用的功能电路,例如家庭中的照明电路中的开关,各种民用电器中的电源开关等。在开关电路中有两大类的开关:(1)机械式的开关,采用机械式的开关件作为开关电路中的元器件。(2)电子开关,所谓的电子开关,不用机械式的开关件,而是采用二极管、三极管这类器件构成开关电路。开关二极管开关特性说明开关二极管同普通的二极管一样,也是一个PN结的结构,不同之处是要求这种二极管的开关特性要好。当给开关二极管加上正向电压时,二极管处于导通状态,相当于开关的通态;当给开关二极管加上反向电压时,二极管处于截止状态,相当于开关的断态。二极管的导通特性可用伏安特性曲线表示。

二极管电路工作原理分析思路说明关于这一电路工作原理的分析思路主要说明下列几点:(1)如果没有VD1这一支路,从级录音放大器输出的录音信号全部加到第二级录音放大器中。但是,有了VD1这一支路之后,从级录音放大器输出的录音信号有可能会经过C1和导通的VD1流到地端,形成对录音信号的分流衰减。(2)电路分析的第二个关键是VD1这一支路对级录音放大器输出信号的对地分流衰减的具体情况。显然,支路中的电容C1是一只容量较大的电容(C1电路符号中标出极性,说明C1是电解电容,而电解电容的容量较大),所以C1对录音信号呈通路,说明这一支路中VD1是对录音信号进行分流衰减的关键元器件。开关二极管是利用二极管的单向导电性,在半导体PN结加上正向偏压,在导通状态下,电阻很小几十到几百欧。浙江TOS二极管特点
二极管可用于整流、开关和调制等电路中。中山高压二极管功率
反向偏压(Reverse Bias)在阳极侧施加相对阴极负的电压,就是反向偏置,所加电压为逆向偏压。这种情况下,因为N型区域被注入电洞,P型区域被注入电子,两个区域内的主要载流子都变为不足,因此结合部位的空乏层变得更宽,内部的静电场也更强,扩散电位也跟著变大。这个扩散电位与外部施加的电压互相抵销,让反向的电流更难以通过。实际的元件虽然处于反向偏压状态,也会有微小的反向电流(饱和电流、漏电流、漂移电流)通过。当反向偏压持续增加时,还会发生隧道击穿或雪崩击穿或崩溃,发生急遽的电流增加。开始产生这种击穿现象的(反向)电压被称为击穿电压。超过击穿电压以后反向电流急遽增加的区域被称为击穿区(崩溃区)。在击穿区内,电流在较大的范围内变化而二极管反向压降变化较小。稳压二极管就利用这个区域的动作特性而制成,可以作为电压源使用。 中山高压二极管功率